紫光国芯: 2018年或将迎来首款国产DDR4内存

摘要：

昨日上午，紫光国芯在全景网的投资者关系互动平台公开现身回应投资者的提问，并表示，网上关于DDR4产品的报道不准确，紫光国芯的DDR3产品在正常销售之中，而DDR4产品存储器芯片及模组目前还处于研发阶段，按计划将在明年逐步推向市场。

12月28日消息，近日，一张印有紫光国芯（UniIC）LOGO的内存条在网络上流传，有网友称该内存条为紫光国芯自主研发的DDR4内存，但是引起了其它网友对照片真实性的怀疑。质疑的声音主要集中在图片芯片上所出现的“PC3-12800U”字样，因为该产品规格代表的正是DDR3 2600内存。

但是昨日上午，紫光国芯在全景网的投资者关系互动平台公开现身回应投资者的提问，并表示，网上关于DDR4产品的报道不准确，紫光国芯的DDR3产品在正常销售之中，而DDR4产品存储器芯片及模组目前还处于研发阶段，按计划将在明年逐步推向市场。但紫光国芯同时也表示，从产品开发完成到批量销售中间还需要较长时间。

紫光今年在芯片、存储等领域都投入了巨大的精力。在今年1月，紫光宣布投资2000亿元在南京建设半导体产业基地，主要产品为3D-LAND FLASH、DRAM存储芯片等，建成后将实现月产晶圆10万片，而在本月入股联想控股与中芯国际之后，紫光未来在半导体行业的布局与芯片国产化等方面或许将有更加出色的表现。

信达证券分析师边铁城表示，我国半导体市场需求在全球占比名列榜首，但国内企业竞争力却有限，产品供需缺口较大，CPU及存储芯片更是几乎完全依赖于进口，存储芯片已经成为我国半导体产业受外部制约最严重的基础产品之一，因此存储芯片国产化也成为我国半导体发展大战略中的重要一步。